Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 907 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 51 A D2PAK (TO-263) 150 V SMD 0.032 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Infineon
IRFS52N15DTRLP
od PLN 5,171*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,4A; 125W; D2PAK; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryz...
ST Microelectronics
STB9NK60ZT4
od PLN 3,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220AB 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Lic...
Vishay
IRFZ48RPBF
od PLN 6,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7,9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 71W Polary...
Diodes
DMG10N60SCT
od PLN 2,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 A LFPAK88 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
BUK7S0R5-40HJ
PLN 16,112*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTQ30N60P
od PLN 23,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220AB 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
ROHM Semiconductor
RX3R05BBHC16
od PLN 6,825*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQB8N60CTM
od PLN 4,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A D2Pak 55 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = D2Pak Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLZ44ZSTRLPBF
od PLN 2,942*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247 600 V 0.04 Ω (1 Oferta) 
Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 to najnowsza technologia MOSFET wysokiego napięcia firmy Infleon z wbudowaną szybką diodą Body, uzupełniająca serię Cool MOS™ 7. Cool MOS™ CFD7 jest wyposażony w obniżo...
Infineon
IPW60R040CFD7XKSA1
od PLN 26,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 A PowerPAK SO-8L 30 V SMD 0.00094 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJ126EP-T1_GE3
od PLN 2,844*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3-2 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25...
Infineon
IPB60R099CPATMA1
od PLN 18,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,8A; 32W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM60N600CI C0G
od PLN 6,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 51 A TO-220AB 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 51 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tran...
Infineon
IRFB52N15DPBF
od PLN 6,983*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,5A; 20W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM60N900CI C0G
od PLN 5,21*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   891   892   893   894   895   896   897   898   899   900   901   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.