MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 895/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W (1 Oferta)

Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,2W Pola...

DIOTEC SEMICONDUCTOR

2N7002W

od PLN 1,135*
za 25 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipola...

IXYS

IXFT50N60P3

od PLN 29,86*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A TISON-8 25 V SMD 0.003 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...

Infineon

BSG0811NDATMA1

od PLN 6,39*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipo...

IXYS

IXFX64N60P

od PLN 62,29*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,4 A SOT-23 30 V SMD 0.3 O. (1 Oferta)

Seria DiodesZetex DMN3061SWQ to N-kanałowy MOSFET. Jest używany w przełączniku ogólnego przeznaczenia, funkcjach zarządzania energią i przełączniku analogowym.Niska pojemność wejściowa Wysoka szybk...

Diodes

DMN3069L-7

od PLN 0,364*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 500 mA SOT-363 25 V SMD Izolacja 300 mW 770 milioma (2 ofert)

Dwa tryby usprawniające MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory działające w trybie poprawy efektów polowych są produkowane przy użyciu własnych tranzystorów Fairchild, o wysokiej gęstości kom...

onsemi

FDG6303N

od PLN 2,25*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 64A; 1250W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 95mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipolar...

IXYS

IXFK64N60Q3

od PLN 106,21*
za szt.

Infineon IPW60R040C7 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPW60R040C7XKSA1

od PLN 31,98*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220 150 V 0.02 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = OptiMOS™ 3 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...

Infineon

IPP200N15N3GXKSA1

od PLN 8,192*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pola...

Microchip Technology

APT106N60B2C6

od PLN 74,98*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 5,5 A SOT-223 55 V SMD 0.161 O. (2 ofert)

Tranzystor polowy trybu wzmocnienia N poziomu logiki Nexperia BUK98150-55A/CUF (FET) w plastikowym opakowaniu z wykorzystaniem technologii TrenchMOSNiskie straty przewodzenia dzięki małej rezystanc...

Nexperia

BUK98150-55A/CUF

od PLN 0,635*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,15A; Idm: 0,8A (1 Oferta)

Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...

Nexperia

NX7002BKWX

od PLN 0,228*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 500 mA X2-DFN1006 20 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = X2-DFN1006 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3

Diodes

DMN2991UFB4-7B

od PLN 1 037,50*
za 10 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 66A; 540W; TO268 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny...

IXYS

IXKT70N60C5

od PLN 43,99*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 56 A Rura 750 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny

ROHM Semiconductor

SCT4026DEC11

od PLN 68,732*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 891 892 893 894 895 896 897 898 899 900 901 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 963 ofert spośród 5 040 376 artykułów)

"MOSFET"