 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 4,92*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-252 60 V SMD 0.0078 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi st... |
Infineon IPD50N06S4L08ATMA2 |
od PLN 3,296*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 15,20*
za 5 szt. |
|
|
|
Taiwan Semiconductor TSM60NB600CF C0G |
od PLN 4,66*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 500 mA SOP 600 V SMD 8.8 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź... |
ROHM Semiconductor R6000ENHTB1 |
od PLN 1,008*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 17,66*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB50N12S3L15ATMA1 |
od PLN 6,337*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 22,42*
za szt. |
|
|
|
Texas Instruments CSD19534Q5A |
od PLN 1,88*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,64*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5,1 A SOT-223 55 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba e... |
|
od PLN 1,027*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP6NK60ZFP |
od PLN 2,58*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 500 mA X2-DFN1006 20 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = X2-DFN1006 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 |
|
od PLN 0,757*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT60N60BCSG |
od PLN 80,78*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A DO 263 650 V SMD 0.04 Ω (1 Oferta) Infineon Design of Cool MOS™ C7 to rewolucyjna technologia tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seri... |
|
od PLN 34,336*
za szt. |
|
|
