| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2224666 Nr producenta: IPD50N06S4L08ATMA2 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET, zwanych również tranzystorem MOSFET, oznacza „tranzystory polowe z tlenkiem metalu półprzewodników”;. Tranzystory MOSFET są urządzeniami tranzystorowymi sterowanymi przez skraplacz. „efekt pola”; oznacza, że są one sterowane napięciem. Celem tranzystora MOSFET jest sterowanie przepływem prądu przepływającego od źródła do zacisków odpływowych.Ekologiczny produkt (zgodny z RoHS) MSL1 do 260°C Peak Relow AEC Q101 OptiMOS™ - MOSFET mocy do zastosowań motoryzacyjnych Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | TO-252 | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0078 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |