![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 1,757* za szt. |
|
|
|
Infineon IPD60R600P7SAUMA1 |
od PLN 1,13* za szt. |
|
|
|
Infineon IPW60R040CFD7XKSA1 |
od PLN 830,3301* za 30 szt. |
|
|
|
|
od PLN 26,03* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT56M60L |
od PLN 63,26* za szt. |
|
|
|
Infineon IPD50N06S2L13ATMA2 |
od PLN 3,704* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 83,81* za szt. |
|
|
|
Infineon BSC110N06NS3GATMA1 |
od PLN 1,426* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A TO-247-4 650 V 0.05 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.05... |
Infineon IMZA65R039M1HXKSA1 |
od PLN 35,318* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STB9NK60ZT4 |
od PLN 2,69* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,208* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.012 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
Infineon IPD50N06S4L12ATMA2 |
od PLN 2,245* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT56F60L |
od PLN 67,96* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 53,5 A TO-247-4 600 V 0.07 O. (1 Oferta) Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seria CoolMOS P... |
|
od PLN 24,695* za szt. |
|
|
|
Infineon IPD50N12S3L15ATMA1 |
od PLN 9 752,00* za 2 500 szt. |
|
|