| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2183045 Nr producenta: IPD50N06S4L12ATMA2 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.012 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.2V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | OptiMOS™ -T2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.012 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2183045, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD50N06S4L12ATMA2 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |