|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2148962 Nr producenta:
AUIRFSA8409-7TRL EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tranzystory Infineon HEXFET Power MOSFET wykorzystują najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć bardzo niską odporność na każdy obszar krzemu. Dodatkowe cechy tej konstrukcji to temperatura robocza połączenia 175°C, duża prędkość przełączania i zwiększona ocena lawinowy. Te cechy łączą się, aby ten projekt uczynić niezwykle wydajnym i niezawodnym urządzeniem do zastosowań motoryzacyjnych i wielu innych zastosowań.Zaawansowana technologia przetwarzania Nowy, bardzo niski opór przy zakopaniu Samochód wykwalifikowany Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 523 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | D2PAK-7 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 7 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.00069 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.9V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |