Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 4,1 A IPAK (TO-251) 800 V Pojedynczy 62,5 W 1,44 oma (2 ofert) 
E Series Power MOSFETNiska wartość FOM Ron x Qg Niska skuteczność reaktancja (CISS wg) Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia ZASTOSOWANIA Zasilacze serwerowe i telekomunikacyjne Zasilacze ...
Vishay
SIHU4N80AE-GE3
od PLN 2,982*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5014SLLG
od PLN 65,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,6 A X4-DSN1006-3 30 V SMD 0.058 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany w celu zminimalizowania zajmowanego miejsca w aplikacjach ręcznych i mobilnych. Może być używany do zastąpienia wielu małych sygna...
Diodes
DMN3061LCA3-7
od PLN 4 988,40*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,3A; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF5N50
od PLN 1,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-3PN 1500 V 4.6 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1500 V Typ opakowania = TO-3PN Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Renesas Electronics
2SK1835-E
od PLN 30,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5018SLLG
od PLN 46,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A TSMT-8 40 V SMD 0.044 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = QH8KB5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
ROHM Semiconductor
QH8KB5TCR
od PLN 3 496,02*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 300W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5020BVFRG
od PLN 70,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,3 A DPAK (TO-252) 100 V SMD Pojedynczy 2,5 W 540 miliomów (1 Oferta) 
N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFR110PBF
od PLN 167,175*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 35A; Idm: 175A; 780W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT56F50L
od PLN 53,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247-4 1200 V 350 m.Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = IMZ1 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 350 m...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
od PLN 16,952*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,215Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W ...
IXYS
IXTQ30N50L2
od PLN 40,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A, 6,4 A. TO-220AB 650 V 0,7 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, 6,4 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,7...
Vishay
SIHP690N60E-GE3
od PLN 7,363*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2A; 35W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
IRFI830GPBF
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W ...
IXYS
IXTT26N50P
od PLN 21,41*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   831   832   833   834   835   836   837   838   839   840   841   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.