Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-3PN 1500 V 4.6 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1500 V Typ opakowania = TO-3PN Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Renesas Electronics
2SK1835-E
od PLN 775,4202*
za 30 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 4,6 A SOT-23 40 V SMD 0,052 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMN4035 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Diodes
DMN4035L-7
od PLN 0,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,2A; 110W; DPAK,TO252 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: un...
Vishay
IRFR430APBF
od PLN 1,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-346T 30 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RQ5E040TNTL
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTQ26N50P
od PLN 17,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A TO-220 FULLPAK 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220 FULLPAK Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFI510GPBF
od PLN 177,43*
za 50 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR44N50P
od PLN 38,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A, 6,4 A. TO-220AB 650 V 0,7 oma (2 ofert) 
Vishay SIHP690N60E-GE3 to tranzystor MOSFET serii E.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia Klasa...
Vishay
SIHP690N60E-GE3
od PLN 4,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5014BFLLG
od PLN 57,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,6 A TSOT-26 20 V SMD 0.035 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia dwukanalikowego DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni g...
Diodes
DMN2053UVTQ-7
od PLN 1 349,67*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,2A; Idm: 32A; 40W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacj...
NTE Electronics
NTE2946
od PLN 16,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-252 700 V SMD 1.4 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1
od PLN 1,173*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5018BFLLG
od PLN 42,28*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPD80R1K2P7 tranzystor 800 V (2 ofert)
Infineon
IPD80R1K2P7ATMA1
od PLN 1,721*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT37F50B
od PLN 35,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   831   832   833   834   835   836   837   838   839   840   841   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.