Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 4,4 A IPAK (TO-251) 800 V 1,35 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = IPAK (TO-251) Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dr...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
od PLN 1,824*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,215Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...
IXYS
IXTT30N50L2
od PLN 46,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247 1200 V 350 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = IMW1 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 350 m...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
od PLN 17,055*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 135A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT42F50S
od PLN 45,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A PowerPAK SC-70-6L podwójny 20 V SMD 0.0215 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SIA938DJT-T1-GE3
od PLN 1,462*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTQ40N50L2
od PLN 48,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4-DSN3015-10 SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Typ opakowania = 4-DSN3015-10 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Diodes
DMN12M8UCA10-7
od PLN 4 829,10*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5014BLLG
od PLN 60,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,4 A ThinPAK 5 x 6 700 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na ...
Infineon
IPLK70R1K2P7ATMA1
od PLN 2,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
IXYS
IXTQ30N50L
od PLN 25,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247AC 900 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFPF40PBF
od PLN 7,317*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,1A; 25W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
Infineon
IPU50R1K4CEBKMA1
od PLN 0,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOP 45 V SMD 0.046 omów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Seria = SP8K22 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
ROHM Semiconductor
SP8K22HZGTB
od PLN 3,427*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 44A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT44N50P
od PLN 31,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A H-PSOF8L 650 V SMD 0.082 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTBL082N65S3HF
od PLN 21,016*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   831   832   833   834   835   836   837   838   839   840   841   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.