Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 35A; Idm: 175A; 780W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT56M50L
od PLN 47,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOP 45 V SMD 0.046 omów (1 Oferta) 
MOSFET klasy motoryzacyjnej ROHM SP8K22HZG n, który jest zgodny z normą EC-Q101. W pakiecie SOP8 znajdują się dwa tranzystory MOSFET NCH 45V. Wbudowana dioda zabezpieczająca przed ESD. Idealne do p...
ROHM Semiconductor
SP8K22HZGTB
od PLN 2,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 690W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT30N50Q3
od PLN 38,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD Pojedynczy 313 W 82 miliomy (1 Oferta) 
MOSFET SUPERFET® III to nowa rodzina tranzystorów MOSFET ON Semiconductor o wysokim napięciu (SJ), która wykorzystuje technologię równoważenia ładowania zapewniającą wyjątkowo niski stopień oporu i...
onsemi
NVB082N65S3F
od PLN 18,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,3A; 8,3W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,399Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,3W P...
Infineon
IPA50R399CPXKSA1
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
SH8KE6TB1
od PLN 6 003,525*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W P...
IXYS
IXTQ44N50P
od PLN 29,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A LFPAK56D 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK56D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Nexperia
BUK9K13-60RAX
od PLN 4,389*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 36A; 540W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT36N50P
od PLN 25,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
SH8KE6TB1
od PLN 2,738*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5016BFLLG
od PLN 67,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A H-PSOF8L 650 V SMD 0.082 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NTBL082N65S3HF
od PLN 16,986*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 370W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017BVRG
od PLN 55,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSQ045N03HZGTR
od PLN 5,52*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 40 A PG-TSDSON-8 FL 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozsz...
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1
od PLN 3,532*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   831   832   833   834   835   836   837   838   839   840   841   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.