Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 24ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pol...
IXYS
IXTA3N50D2
od PLN 9,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247-4 1200 V 350 m.Ω (1 Oferta) 
Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-4 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W p...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
od PLN 16,297*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 53A; Idm: 270A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT84F50L
od PLN 64,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 40 V SMD 0.0054 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPZ40N04S55R4ATMA1
od PLN 2,237*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 5,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacj...
NTE Electronics
NTE2385
od PLN 19,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,8 A DPAK (TO-252) 200 V SMD Pojedynczy 42 W 800 miliomów (1 Oferta) 
MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFR220TRPBF
od PLN 1,279*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1
od PLN 13,055*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 4,3A; 34W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W ...
Infineon
IPD50R950CEATMA1
od PLN 0,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,8 A DPAK (TO-252) 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR220PBF
od PLN 1,406*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 57A; Idm: 228A; 570W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 570W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75LFLLG
od PLN 87,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ...
Infineon
IAUZ40N06S5N050ATMA1
od PLN 2,717*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,6A; 150W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: unip...
Vishay
IRFP440PBF
od PLN 4,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A HSMT8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSMT8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RH6P040BHTB1
od PLN 4,311*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 46A; 700W; TO264; 600ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 0,6µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W ...
IXYS
IXTK46N50L
od PLN 138,16*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPZ40N04S55R4ATMA1
od PLN 1,406*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   831   832   833   834   835   836   837   838   839   840   841   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.