![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 9,44* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247-4 1200 V 350 m.Ω (1 Oferta) Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-4 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W p... |
Infineon IMZ120R350M1HXKSA1 |
od PLN 16,297* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT84F50L |
od PLN 64,66* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 40 V SMD 0.0054 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło... |
Infineon IPZ40N04S55R4ATMA1 |
od PLN 2,237* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 19,16* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,279* za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ150N10LS3GATMA1 |
od PLN 13,055* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,85* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,406* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50M75LFLLG |
od PLN 87,44* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ... |
Infineon IAUZ40N06S5N050ATMA1 |
od PLN 2,717* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,79* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A HSMT8 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSMT8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RH6P040BHTB1 |
od PLN 4,311* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 138,16* za szt. |
|
|
|
Infineon IPZ40N04S55R4ATMA1 |
od PLN 1,406* za szt. |
|
|