 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
ST Microelectronics SCTL35N65G2V |
od PLN 51,238*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4,6 A TSOT-26 20 V SMD 0.035 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0... |
|
od PLN 0,51*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 105,17*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.013 Ω (1 Oferta) Normalny poziom kanału Infineon n ma temperaturę roboczą 175°C i 100% testowanej lawiny. Obok innych jest stosowany w oświetleniu LED i w zastosowaniach związanych z układem napędowym.Jest zgodny z... |
Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
od PLN 3,005*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247 1200 V 350 m.Ω (2 ofert) Infineon CoolSiC™ 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-3 bazuje na najnowocześniejszym procesie półprzewodników do rowów zoptymalizowanym pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością. W p... |
Infineon IMW120R350M1HXKSA1 |
od PLN 16,096*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 55,08*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,941*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STY60NM50 |
od PLN 43,91*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,768*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 24,97*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 40 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.015 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
Infineon BSZ150N10LS3GATMA1 |
od PLN 3,894*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,91*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 4,7 A TO-247AC 900 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 6,74*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 22,44*
za szt. |
|
|
|
Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
od PLN 2,082*
za szt. |
|
|
