Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 943 ofert spośród 4 925 629 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,6A; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT8N50
od PLN 2,28*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 400 A Luzem 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 400 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Luzem Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM400D12P2G003
od PLN 31 995,512*
za 4 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 40 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD 0.0056 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
Renesas Electronics
RJK0656DPB-00J5
od PLN 15 816,025*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 6,9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 6,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDB12N50FTM-WS
od PLN 4,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A TO-247 650 V 0.082 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTHL Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.082 Ω...
onsemi
NTHL082N65S3HF
od PLN 18,39*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP50R280CEXKSA1
od PLN 3,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,6 A TSOT-26 20 V SMD 0.035 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia dwukanalikowego DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni g...
Diodes
DMN2053UVTQ-7
od PLN 1 349,16*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,7A; 178W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 860mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD9N50
od PLN 2,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 400 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 400 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalne napięcie progowe VGS ...
Infineon
IAUS300N08S5N012TATMA1
od PLN 14,503*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A PG-TO263-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC252N10NSFGATMA1
od PLN 2,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W P...
IXYS
IXTK60N50L2
od PLN 106,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A TO-247-4 650 V 0.067 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTH4LN067N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
onsemi
NTH4LN067N65S3H
od PLN 20,026*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 7,1A; 66W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 7,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 66W ...
Infineon
IPD50R520CPATMA1
od PLN 3,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,6 A X4-DSN1006-3 30 V SMD 0.058 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany w celu zminimalizowania zajmowanego miejsca w aplikacjach ręcznych i mobilnych. Może być używany do zastąpienia wielu małych sygna...
Diodes
DMN3061LCA3-7
od PLN 4 992,50*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 52A; 960W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH52N50P2
od PLN 27,37*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   841   842   843   844   845   846   847   848   849   850   851   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.