Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 840 918 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 9A; 208W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIHP14N50D-GE3
od PLN 5,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 400 mA X2-DFN0806-6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 400 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = X2-DFN0806-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Diodes
DMN31D5UDAQ-7B
od PLN 1 408,60*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 8,5A; 250W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 510mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT13N50
od PLN 3,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A TO-220 650 V Pojedynczy 48 W 82 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTPF082N65S3F
od PLN 13,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 407 ma X1-DFN1006 60 V SMD 2 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...
Diodes
DMN62D4LFB-7B
od PLN 0,486*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 7,15A; 110W; TO3PF (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PF Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 7,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQAF16N50
od PLN 13,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A Super-247 600 V 0.13 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = Super-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Vishay
SIHFPS40N60K-GE3
od PLN 19,804*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 407 mA X1-DFN1006 60 V SMD Pojedynczy 500 mW 3 miliomy (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET nowej generacji został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować niewrażliwość na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ...
Diodes
DMN62D1LFB-7B
od PLN 1 388,70*
za 10 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 40 A TO-247 650 V 0.082 Ω (1 Oferta) 
ON Semiconductor MOSFET to nowa rodzina tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, które wykorzystują technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na obciążenia i niższą ...
onsemi
NTHL082N65S3HF
od PLN 25,268*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 74A; 1400W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4kW Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX74N50P2
od PLN 24,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 408 A PG-HDSOP-16 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 408 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-HDSOP-16 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Liczba elementów na uk...
Infineon
SP005731287
od PLN 21,435*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalne napięcie progowe VGS = ...
Infineon
ISC010N04NM6ATMA1
od PLN 6,265*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 50V; 0,2A; 0,3W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 50V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzac...
Diodes
BSS138Q-7-F
od PLN 0,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 408 A PG HSOG-8 (TOLG) 80 V SMD 0.0011 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 408 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG HSOG-8 (TOLG) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezysta...
Infineon
IPTG011N08NM5ATMA1
od PLN 30 015,396*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 8,8A; 160W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 8,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryza...
ST Microelectronics
STW15NK50Z
od PLN 7,26*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   841   842   843   844   845   846   847   848   849   850   851   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.