| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2222837 Nr producenta: DMN3061LCA3-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany w celu zminimalizowania zajmowanego miejsca w aplikacjach ręcznych i mobilnych. Może być używany do zastąpienia wielu małych sygnałów MOSFET tak małą ilością miejsca.Niska QG i Qgd Niewielkie rozmiary Niska wysokość 0,20 mm Całkowicie bezawaryjny i w pełni zgodny z RoHS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,6 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | X4-DSN1006-3 | Seria: | DMN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.058 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.1V |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2222837, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN3061LCA37 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |