Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 658 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89W P...
Infineon
IPI50R350CPXKSA1
od PLN 4,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 38 A TO-263-7 650 V SMD 60 MO (1 Oferta) 
ROHM N-kanałowy tranzystor mocy MOSFET wyposażony w bardzo szybkie przełączanie i niski opór. Jest stosowany głównie w falowniku słonecznym, przetwornicy DC-DC, napędzie silnikowym i ogrzewaniu ind...
ROHM Semiconductor
SCT3060AW7TL
od PLN 45,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-346T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RUR040N02HZGTL
od PLN 1,537*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO3P; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTQ450P2
od PLN 11,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 375 A HSOF 0,82 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 375 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 0,82 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Infineon
IPT60R022S7XTMA1
od PLN 26,694*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 13A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Pola...
Infineon
IPA50R250CPXKSA1
od PLN 8,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A IPAK SL (TO-251 SL) 700 V 1400 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1...
Infineon
IPS70R1K4P7SAKMA1
od PLN 0,672*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 380 mA UMT 60 V SMD 0.68 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 380 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
BSS138BWAHZGT106
od PLN 0,434*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA50R190CEXKSA2
od PLN 3,124*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-457T 45 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RVQ040N05HZGTR
od PLN 1,346*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 17A; 190W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polary...
ST Microelectronics
STP20NK50Z
od PLN 6,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 38 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 28 W 17,6 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NTMYS010N04CLTWG
od PLN 2,975*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 13mA; Idm: 30A; 0,36W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Pola...
Microchip Technology
LND250K1-G
od PLN 2,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A PowerDI3333-8 60 V SMD 0.1 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ...
Diodes
DMN6069SFVW-7
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 382 A Przewód szerokopasmowy TO-262 (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 382 A Typ opakowania = Przewód szerokopasmowy TO-262
Infineon
AUIRF1324WL
od PLN 33,169*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.