|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1952530 Nr producenta:
NTMYS010N04CLTWG EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V
Typ opakowania = LFPAK, SOT-669
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 4
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 17,6 miliomów
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2V
Minimalne napięcie progowe VGS = 1.2V
Maksymalna strata mocy = 28 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V
Szerokość = 4.25mm
Wysokość = 1.15mm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 38 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | LFPAK, SOT-669 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 17,6 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.2V | Maksymalna strata mocy: | 28 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1952530, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMYS010N04CLTWG |
| | |
| |