Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 943 ofert spośród 4 925 606 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 375 A PowerPAK 8 x 8 l 40 V SMD 0.0013 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 375 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 l Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezysta...
Vishay
SQJQ148E-T1_GE3
od PLN 3,884*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFP16N50P
od PLN 10,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-220 800 V 0.14 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.14...
Infineon
IPP80R1K4P7XKSA1
od PLN 2,447*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247 650 V 0.064 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.06...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
od PLN 23,939*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 17A; 190W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polary...
ST Microelectronics
STP20NK50Z
od PLN 6,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-3PN 1500 V 4.6 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1500 V Typ opakowania = TO-3PN Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Renesas Electronics
2SK1835-E
od PLN 30,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 19A; 156W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR36N50P
od PLN 32,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 38 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 28 W 17,6 miliomów (1 Oferta) 
Przemysłowy układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne.Kompaktowa konstr...
onsemi
NTMYS010N04CLTWG
od PLN 5,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA16N50P
od PLN 10,85*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD70R1K4P7SAUMA1
od PLN 0,782*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,9A; Idm: 18A; 74W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Polaryzacja: un...
Vishay
IRF830SPBF
od PLN 2,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARC15
od PLN 41,796*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 18,9A; 313W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 18,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W Polaryz...
ST Microelectronics
STW26NM50
od PLN 17,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A, 6,4 A. DPAK (TO-252) 650 V SMD 0,7 oma (2 ofert) 
Vishay SIHD690N60E-GE3 to tranzystor MOSFET serii E.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia Klasa...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
od PLN 2,483*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,3A; Idm: 9,2A; 45W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryz...
ST Microelectronics
STP3NK50Z
od PLN 1,29*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.