| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2320391 Nr producenta: IMW65R048M1HXKSA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.064 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.7V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 39 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-247 | Seria: | CoolSiC | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.064 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5.7V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2320391, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IMW65R048M1HXKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |