Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 653 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,7A; Idm: 18A; 61W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 61W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FQD6N50CTM
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4 650 V 0.064 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.06...
Infineon
IMZA65R048M1HXKSA1
od PLN 34,989*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,1A; 83W; DPAK,TO252 (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFR420APBF
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A, 6,4 A. DPAK (TO-252) 650 V SMD 0,7 oma (2 ofert) 
Vishay SIHD690N60E-GE3 to tranzystor MOSFET serii E.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia Klasa...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
od PLN 2,483*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFP16N50P
od PLN 10,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A IPAK (TO-251) 700 V 0.0014 Ω (1 Oferta) 
Infineon Design of Cool MOS™ to rewolucyjna technologia tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Najnows...
Infineon
IPSA70R1K4P7SAKMA1
od PLN 1,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W ...
IXYS
IXTA460P2
od PLN 11,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,4 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 1.35 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
od PLN 2,614*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,9A; Idm: 18A; 74W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Polaryzacja:...
NTE Electronics
NTE2398
od PLN 14,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARHRC15
od PLN 32,207*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,3A; Idm: 9,2A; 45W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryz...
ST Microelectronics
STP3NK50Z
od PLN 1,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 17A; 139W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPI50R199CPXKSA1
od PLN 6,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A IPAK SL (TO-251 SL) 700 V 2 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ CE Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2...
Infineon
IPSA70R2K0CEAKMA1
od PLN 1,152*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR44N50Q3
od PLN 68,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,4 A TO-220AB 800 V 1.35 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E-Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1....
Vishay
SIHP5N80AE-GE3
od PLN 3,181*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.