| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282851 Nr producenta: SiHD5N80AE-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.35 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 850 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | E Series | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1.35 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282851, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiHD5N80AEGE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |