Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 653 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 380 mA SOT-23 60 V SMD 0.02 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 380 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMN61D9U Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Diodes
DMN61D9UT-7
od PLN 694,86*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT24F50B
od PLN 19,57*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-23 30 V SMD 0,085 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMG3402 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Diodes
DMG3402LQ-7
od PLN 1,116*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3060ARHRC15
od PLN 33,633*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 20A; 380W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 380W Polaryzacja: unipolarny ...
IXYS
IXFQ20N50P3
od PLN 12,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-252 950 V SMD 0.002 Ω (1 Oferta) 
Model Infineon zaprojektowany z myślą o rosnących potrzebach klientów na rynku tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, najnowsza technologia CoolMOS™ P7 950V skupia się na rynku SMPS o niskiej mocy...
Infineon
IPD95R2K0P7ATMA1
od PLN 2,912*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,5A; 40W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDD3N50NZTM
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 380 mA UMT 60 V SMD 0.68 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 380 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
BSS138BKWT106
od PLN 804,90*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W...
IXYS
IXTH16N50D2
od PLN 34,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A SOT-346T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RQ5E040TNTL
od PLN 0,634*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 13A; 114W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W ...
Infineon
IPI50R250CPXKSA1
od PLN 5,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39.3 A. PowerPAK SO-8L 60 V SMD 0,0072 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET Vishay N-Channel 60 V (D-S) ma bardzo niską wartość QG i Qss, co zmniejsza straty mocy i zwiększa wydajność. Elastyczne przewody zapewniają odporność na obciążenia mechaniczne.Tra...
Vishay
SiJ462ADP-T1-GE3
od PLN 2,228*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 22A; 350W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH22N50P
od PLN 15,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A, 6,4 A. DPAK (TO-252) 650 V SMD 0,7 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, 6,4 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
od PLN 1,937*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,5A; Idm: 10A; 40W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: u...
NTE Electronics
NTE2380
od PLN 17,09*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.