Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 653 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 37 A TO-247-4 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Wolfspeed
C3M0060065K
od PLN 38,738*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 39,6 A PowerPAK SO-8DC 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 39,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIDR610EP-T1-RE3
od PLN 8,506*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 1,6A; 100W; TO252; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W ...
IXYS
IXTY1R6N50D2
od PLN 7,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 373 A PowerPAK 8 x 8L 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 373 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na...
Vishay
SIJH600E-T1-GE3
od PLN 16,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 570ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTH15N50L2
od PLN 26,32*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPSA70R2K0CEAKMA1
od PLN 66,12525*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPA60R099P6XKSA1
od PLN 10,941*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 12A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Infineon
IPP50R299CPXKSA1
od PLN 5,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 396 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD 0.0012 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 396 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IPTC012N08NM5ATMA1
od PLN 35 202,564*
za 1 800 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 38 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 55 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPB60R055CFD7ATMA1
od PLN 19,398*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 570ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W ...
IXYS
IXTA15N50L2
od PLN 35,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A SC-70 12 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = SC-70 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI1442DH-T1-GE3
od PLN 0,332*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDA24N50F
od PLN 10,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Infineon
IPB50R299CPATMA1
od PLN 5,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 399 A sTOLL 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 399 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = sTOLL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
IST011N06NM5AUMA1
od PLN 10,744*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.