Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 960 ofert spośród 4 917 868 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOP8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
SH8KE6TB1
od PLN 5 999,55*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 4,6 A TO-220FP 500 V Pojedynczy 40 W 850 miliomów (3 ofert) 
MOSFET, MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFI840GPBF
od PLN 4,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A LFPAK56D 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK56D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Nexperia
BUK9K13-60RAX
od PLN 4,359*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,7A; 25W; TO220FP; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STP5NK50ZFP
od PLN 2,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISZ0803NLSATMA1
od PLN 2,754*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W ...
IXYS
IXTT26N50P
od PLN 21,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 380 mA UMT 60 V SMD 0.68 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 380 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = UMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
ROHM Semiconductor
BSS138BKWT106
od PLN 0,365*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPN50R800CEATMA1
od PLN 0,778*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RSQ045N03HZGTR
od PLN 5,52*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 20A; 380W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 380W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFA20N50P3
od PLN 9,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 40 A PG-TSDSON-8 FL 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 40 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozsz...
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1
od PLN 3,305*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISC0803NLSATMA1
od PLN 3,435*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTQ26N50P
od PLN 17,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 381 A TDSON 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 381 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSC007N04LS6ATMA1
od PLN 9,945*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 44A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT44N50P
od PLN 31,59*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.