Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 653 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
BSC007N04LS6ATMA1
od PLN 5,959*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W P...
IXYS
IXTT16N50D2
od PLN 49,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A TO-252 600 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
R6004END3TL1
od PLN 2,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 13A; 92W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 92W P...
Infineon
IPW50R280CEFKSA1
od PLN 3,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 398,2 A. DFNW8 60 V SMD Pojedynczy 5 W 1,05 milioma (1 Oferta) 
Mała powierzchnia podstawy (8x8 mm) do kompaktowej konstrukcji Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika Zestaw Powe...
onsemi
NTMTS001N06CLTXG
od PLN 27 067,08*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A; 265W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 265W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5024BFLLG
od PLN 34,30*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,1 A TO-247AC 800 V Pojedynczy 125 W 3 omy (2 ofert) 
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFPE30PBF
od PLN 4,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,7A; 70W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryz...
ST Microelectronics
STP5NK50Z
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R024P7XKSA1
od PLN 34,868*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 19A; 156W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR36N50P
od PLN 32,72*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD95R2K0P7ATMA1
od PLN 1,843*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 570ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTP15N50L2
od PLN 22,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 1.05 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
R6504KND3TL1
od PLN 2,625*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...
IXYS
IXTH24N50L
od PLN 62,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,3 A TSOT26 45 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = TSOT26
Diodes
DMN4060SVTQ-7
od PLN 2 079,72*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   821   822   823   824   825   826   827   828   829   830   831   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.