| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2224931 Nr producenta: IPS70R1K4P7SAKMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1400 m.Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V Materiał tranzystora = Si Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700 V | Typ opakowania: | IPAK SL (TO-251 SL) | Seria: | CoolMOS™ P7 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1400 m.Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2224931, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPS70R1K4P7SAKMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |