MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 597/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon BSC037N08NS5T tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

BSC037N08NS5TATMA1

od PLN 4,315*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PowerPAK SO-8 60 V SMD 0.0018 Ω (2 ofert)

Tranzystor Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Bardzo niska wartość FOM RDS-Qg Optymalizacja pod kątem najniższej wartości FOM RDS-Qos...

Vishay

SiR180ADP-T1-RE3

od PLN 3,149*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 60V; 12A; 78W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Polary...

ST Microelectronics

STL20N6F7

od PLN 2,32*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 14 A IPAK (TO-251) 60 V (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = IPAK (TO-251) Typ montażu = Otwór przezierny

Vishay

IRFU024PBF

od PLN 2,711*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 136 A PG-TO263-7 150 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 136 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPB060N15N5ATMA1

od PLN 21,078*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PG-WSON 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-WSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

BSC028N06NSSCATMA1

od PLN 4,36216*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...

Infineon

IQE030N06NM5ATMA1

od PLN 4,676*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 14 A PowerDI3333-8 100 V SMD 0.008 O. (1 Oferta)

Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal...

Diodes

DMTH10H009LFG-7

od PLN 2,699*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PG-TO252-3 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPB042N10N3GATMA1

od PLN 7,05*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta)

Infineon

IQE030N06NM5CGATMA1

od PLN 4,676*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A. PowerPAK SO-8DC 80 V SMD 0.00288 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = SiDR680ADP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Vishay

SIDR680ADP-T1-RE3

od PLN 21,39*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 30V; 80A; 300W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...

ST Microelectronics

STP80NF03L-04

od PLN 4,40*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PowerPAK SO-8 60 V SMD 0.0018 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancj...

Vishay

SiR180ADP-T1-RE3

od PLN 2,727*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 12A; 30W; IPAK (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja:...

ST Microelectronics

STD12NF06L-1

od PLN 1,25*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 138 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 83 W 2,3 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 138 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystanc...

onsemi

NTMYS2D4N04CTWG

od PLN 3,901*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 591 592 593 594 595 596 597 598 599 600 601 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 037 ofert spośród 4 841 658 artykułów)

"MOSFET"