MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 592/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 63 A TO-247-4 900 V Pojedynczy 149 W 30 miliomów (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...

Wolfspeed

C3M0030090K

od PLN 132,65*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 13,3 A TO-263 950 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-263 Liczba styków = 3

Infineon

SP005547014

od PLN 5,688*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA070B4

od PLN 67,57*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...

Infineon

IQE030N06NM5ATMA1

od PLN 4,676*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 91W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC090SMA070S

od PLN 26,82*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 130 A PowerPAK SO-8 60 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 130 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SIR182LDP-T1-RE3

od PLN 4,54*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 135 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD 0.0028 O, 0.0035 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 135 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...

Infineon

ISC0702NLSATMA1

od PLN 12 579,90*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolarny; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: unipola...

onsemi

FCPF11N60T

od PLN 8,16*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 13,8 A TO-247 600 V 0.28 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 13,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Infineon

IPW60R280P6FKSA1

od PLN 7,622*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC015SMA070S

od PLN 134,59*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 137 A. PowerPAK SO-8DC 80 V SMD 0.00288 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = SiDR680ADP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...

Vishay

SIDR680ADP-T1-RE3

od PLN 21,35*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 108mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC090SMA070B

od PLN 23,94*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 130 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0036 Ω (1 Oferta)

Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET posiada pakiet typu PowerPAK SO-8L o prądzie spustowym 130 A.Tranzystor MOSFET TrenchFET Gen IV Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Pr...

Vishay

SQJ144EP-T1_GE3

od PLN 1,429*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC060SMA070S

od PLN 38,94*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 136 A PG-TDSON 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 136 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPI029N06NAKSA1

od PLN 6,218*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 591 592 593 594 595 596 597 598 599 600 601 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 951 ofert spośród 4 926 735 artykułów)

"MOSFET"