Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 918 734 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 7,6A; 170W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 410mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryz...
ST Microelectronics
STW15N95K5
od PLN 12,71*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R185CFD7AUMA1
PLN 3,851*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,265W Polaryza...
Nexperia
2N7002NXAKR
od PLN 0,181*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A, 23 A. PowerPAK 8 x 8 650 V SMD 0,125 oma (2 ofert) 
Vishay SIH125N60EF-T1GE3 to tranzystor MOSFET z serii EF z diodą szybkiego korpusu.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat pr...
Vishay
SIHH125N60EF-T1GE3
od PLN 11,898*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 4,5A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3404A
od PLN 0,132*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14,4 A PowerPAK SO-8 250 V SMD Pojedynczy 56,8 W 110 mΩ (1 Oferta) 
Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Obudowa PowerPAK® o niskim oporze cieplnym
Vishay
Si7190ADP-T1-RE3
PLN 3,289*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A DPAK (TO-252) 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR024PBF
od PLN 1,347*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A
od PLN 0,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A TO-220 600 V 0.17 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ CFD7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPP60R170CFD7XKSA1
od PLN 8,059*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,245A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002BKVL
od PLN 0,256*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14,1 A U-DFN2020 30 V SMD 0.007 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Diodes
DMT3006LFDFQ-7
od PLN 0,605*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolarny; 100V; 0,16A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
BSS123W
od PLN 0,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 140 A D2PAK (TO-263) 30 V SMD 9 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 140 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRL3803STRLPBF
od PLN 5,602*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 25A; 160W; TO247 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STW40NF20
od PLN 10,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXN5R4-30QLJ
od PLN 1,088*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.