Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 735 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 620V; 3A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 620V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP6N62K3
od PLN 2,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 140 A D2PAK (TO-263) 30 V SMD 9 MO (3 ofert) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET IR Infineon 30 V w pakiecie z serii D2-Pak.Płaska struktura komórek zapewnia szeroki zakres zoptymalizowany pod kątem jak największej dostępności partnerów dystrybuc...
Infineon
IRL3803STRLPBF
od PLN 2,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; 250W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryza...
ST Microelectronics
STW22N95K5
od PLN 18,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXN5R4-30QLJ
od PLN 1,078*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolarny; 100V; 2,4A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,5W Polar...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS03N10A
od PLN 1,21*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 141 A PowerPAK 1212-8SLW 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 141 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8SLW Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQS160ELNW-T1_GE3
od PLN 2,322*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 2,8A; Idm: 18A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryz...
ST Microelectronics
STP6N80K5
od PLN 4,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 140 A SuperSO8 5 x 6 DSC 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 140 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 DSC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
BSC040N10NS5SCATMA1
od PLN 28 154,00*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 14 A PowerDI3333-8 30 V SMD 0,015 oma (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia pary uzupełniającej DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby spełniał rygorystyczne wymagania aplikacji motoryzacyjnej. Urządzenie spełnia funkcję AEC-Q101, obsługiwan...
Diodes
DMG7430LFGQ-7
od PLN 1,759*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 30V; 2,9A; 1W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2304A
od PLN 0,86*
za 10 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 142 A PG-TSDSON-8 FL 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 142 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TSDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozs...
Infineon
BSZ0901NSIATMA1
od PLN 3,788*
za szt.
 
 szt.
Sterownik bramki MOSFET TO-220 STP21N90K5 (2 ofert) 
Te urządzenia to układy mocy MOSFET z kanałem N opracowane z wykorzystaniem technologii MDmesh™ M2. Ta rewolucyjna, odporna na lawiny, wysokonapięciowa technologia MOSFET opiera się na innowacyjnej...
ST Microelectronics
STP21N90K5
od PLN 14,961*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R185CFD7AUMA1
od PLN 5,678*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 7,6A; 35W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polary...
ST Microelectronics
STF13N80K5
od PLN 9,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; 20V; 5,4A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2312A
od PLN 1,26*
za 10 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.