Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 564 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 15 A PowerPAK 8 x 8 l 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 l Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na...
Vishay
SQJ184EP-T1_GE3
od PLN 3,306*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,245A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Polaryzacja...
Nexperia
2N7002BKVL
od PLN 0,35*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD60R400CEAUMA1
od PLN 1,979*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIHB15N60E-GE3
od PLN 6,286*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 150V; 2,8A; Idm: 50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny ...
Vishay
SI4488DY-T1-GE3
od PLN 3,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A VSONP 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = VSONP Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD17578Q3AT
od PLN 2,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; 320W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W Polaryzacja: un...
IXYS
IXFR26N120P
od PLN 127,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A ThinkPAK 8 x 8 650 V SMD 0.13 O. (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Seria CoolMOS C...
Infineon
IPL65R130C7AUMA1
od PLN 13,016*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 141 A PowerPAK 1212-8 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 141 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na...
Vishay
SQS180ELNW-T1_GE3
od PLN 6 289,59*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 150V; 1,2A; Idm: 6A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,375Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,59W Polaryzacja: unip...
Vishay
SI3440DV-T1-GE3
od PLN 1,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0,29 oma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = SiHB17N80E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SIHB17N80E-GE3
od PLN 9,865*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 7,9 A TSOP-6 20 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI3460DDV-T1-GE3
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14,8 A SOIC 60 V SMD 0.0066 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMT67M8LSS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Diodes
DMT67M8LSS-13
od PLN 1,603*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT24M120L
od PLN 75,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 700 V 0.155 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Infineon
IPP65R155CFD7XKSA1
od PLN 8,00*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.