Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 564 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 105A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26F120L
od PLN 111,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 146 A TO-220 700 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 146 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Infineon
IPP65R060CFD7XKSA1
od PLN 19,623*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 17A; 700W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7...
IXYS
IXTX17N120L
od PLN 136,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220FP 900 V 0,33 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Seria = SiC MOSFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
ST Microelectronics
STF16N90K5
od PLN 17,187*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 145 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD 0.018 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 145 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SiC Power Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTBG015N065SC1
od PLN 92,929*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 225W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT4M120K
od PLN 16,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15.4 A, 49.1 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0,0075 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15.4 A, 49.1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna r...
Diodes
DMT47M2SFVW-7
od PLN 1 800,58*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Pol...
IXYS
IXTY1N120P
od PLN 7,30*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSC015NE2LS5I tranzystor 250 V (1 Oferta)
Infineon
BSC015NE2LS5IATMA1
od PLN 2,735*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12067LFLLG
od PLN 135,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247 700 V 0.155 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Infineon
IPW65R155CFD7XKSA1
od PLN 12,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1204R7SFLLG
od PLN 46,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 145 A TDSON-8 FL 40 V SMD 0.015 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 145 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1
od PLN 4,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120S
od PLN 27,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.0045 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = N-Channel 100-V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...
Vishay
SUM70042E-GE3
od PLN 8,051*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   601   602   603   604   605   606   607   608   609   610   611   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.