| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2014468 Nr producenta: STF16N90K5 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 900 V Seria = SiC MOSFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,33 oma Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 15 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900 V | Typ opakowania: | TO-220FP | Seria: | SiC MOSFET | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,33 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2014468, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STF16N90K5 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |