 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 8,041*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja... |
|
od PLN 183,38*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB65R155CFD7ATMA1 |
od PLN 6,805*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,66*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 850 V 0.305 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.3... |
|
od PLN 7,415*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT4F120K |
od PLN 17,74*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ021N04LS6ATMA1 |
od PLN 3,107*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 30,40*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,567*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 20,39*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,536*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 103,29*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-252AA 100 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-252AA Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 1,844*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT7F120S |
od PLN 36,14*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSC015NE2LS5IATMA1 |
od PLN 3,804*
za szt. |
|
|
