Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 15 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQ4410EY-T1_GE3
od PLN 2,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH3N120
od PLN 19,63*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 700 V 0.155 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Infineon
IPP65R155CFD7XKSA1
od PLN 7,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 225W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT4F120K
od PLN 17,76*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC900N20NS3GATMA1
od PLN 16 335,00*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFH6N120
od PLN 30,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A SO-8 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQ4410EY-T1_GE3
od PLN 6 133,075*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W...
IXYS
IXTJ4N150
od PLN 29,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 100 V (1 Oferta) 
Infineon IPP082N10NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 100 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. ...
Infineon
IPP082N10NF2SAKMA1
od PLN 2 894,07*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTA3N120HV
od PLN 18,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
R6515KNX3C16
od PLN 6,261*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 6A; 250W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFP6N120P
od PLN 23,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15.4 A, 45.4 A PowerDI3333-8 60 V SMD 0,0133 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15.4 A, 45.4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMTH69 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
Diodes
DMTH69M8LFVWQ-7
od PLN 1,909*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R4BLLG
od PLN 69,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 700 V 0.155 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Infineon
IPP65R155CFD7XKSA1
od PLN 9,687*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.