![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 28,22* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 100 V (1 Oferta) Infineon IPP082N10NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 100 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. ... |
Infineon IPP082N10NF2SAKMA1 |
od PLN 2 886,69* za 1 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 72,12* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 29,61* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220FP 600 V 0,24 oma (1 Oferta) Tranzystor MOSFET STMicroelectronics N-Channel MDMesh M6 Power w obudowie TO-220FP zmniejsza straty na przełączaniu. Ma również niższy sygnał RDS (włączony) na obszar w porównaniu z poprzednią gene... |
ST Microelectronics STF22N60DM6 |
od PLN 42,004* za 5 szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT14M120B |
od PLN 40,22* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 30,11* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W PAKIET TYPU TO-220AB o prądzie spustowym 15 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i pr... |
|
od PLN 6,423* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 150 A TO-263-7L 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz... |
|
od PLN 14 388,144* za 800 szt. |
|
|
|
|
od PLN 33,84* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W ZESTAW O PRĄDZIE odpływowym 15 A i MOCY 247 AC.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i p... |
|
od PLN 7,185* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 177,61* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,94* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 50,62* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 150 mA DFN0806-3 20 V SMD (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DFN0806-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RV1C002UNT2CL |
od PLN 0,261* za szt. |
|
|