Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 958 ofert spośród 4 927 261 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTA3N150HV
od PLN 28,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220 100 V (1 Oferta) 
Infineon IPP082N10NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 100 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. ...
Infineon
IPP082N10NF2SAKMA1
od PLN 2 886,69*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 2A; 568W; TO268; 80ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 80ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Po...
IXYS
IXTT2N170D2
od PLN 72,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 2,5A; 110W; ISO247™; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISO247™ Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W...
IXYS
IXTJ4N150
od PLN 29,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220FP 600 V 0,24 oma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET STMicroelectronics N-Channel MDMesh M6 Power w obudowie TO-220FP zmniejsza straty na przełączaniu. Ma również niższy sygnał RDS (włączony) na obszar w porównaniu z poprzednią gene...
ST Microelectronics
STF22N60DM6
od PLN 42,004*
za 5 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14M120B
od PLN 40,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 6A; 540W; TO247-3; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH6N150
od PLN 30,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-220AB 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W PAKIET TYPU TO-220AB o prądzie spustowym 15 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i pr...
Vishay
SIHP17N80AE-GE3
od PLN 6,423*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 A TO-263-7L 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-263-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Vishay
SUM70042M-GE3
od PLN 14 388,144*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH3N150
od PLN 33,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E jest wyposażony W ZESTAW O PRĄDZIE odpływowym 15 A i MOCY 247 AC.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i p...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
od PLN 7,185*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,2µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 12A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowa...
IXYS
IXTT12N150HV
od PLN 177,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 A DPAK (TO-252) 30 V SMD 0.00245 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMTH3002LK3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Diodes
DMTH3002LK3-13
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263HV Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W P...
IXYS
IXTA1N170DHV
od PLN 50,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 mA DFN0806-3 20 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DFN0806-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RV1C002UNT2CL
od PLN 0,261*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.