| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2024812 Nr producenta: STF22N60DM6 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET STMicroelectronics N-Channel MDMesh M6 Power w obudowie TO-220FP zmniejsza straty na przełączaniu. Ma również niższy sygnał RDS (włączony) na obszar w porównaniu z poprzednią generacją.W 100% przebadany pod kątem zjawiska lawinowego Zabezpieczenie z wykorzystaniem diody Zenera Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 15 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | TO-220FP | Seria: | STF | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,24 oma | Tryb kanałowy: | Wyczerpanie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 25V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2024812, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STF22N60DM6 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |