MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 617/1 525)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...

IXYS

IXTX200N10L2

od PLN 99,08*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 17 A TO-263 650 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...

Infineon

IPB65R660CFDAATMA1

od PLN 4,527*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0,3W (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzac...

Diodes

BSS123Q-13

od PLN 0,20*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 165.3 A TO-220AB 850 V 0.25 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 165.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...

Vishay

SIHP21N80AEF-GE3

od PLN 4,232*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 222 A. TO-220 100 V Pojedynczy 214 W 2,3 milioma (2 ofert)

Seria MOSFET MV, kanał N, jest produkowana przy użyciu zaawansowanego procesu PowerTrench® ON Semiconductor, który wykorzystuje technologię osłoniętej bramki. Proces ten został zoptymalizowany w ce...

onsemi

FDP2D3N10C

od PLN 10,736*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 166 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 166 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPB032N10N5ATMA1

od PLN 11,652*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3,1A; 4,06W; TO252 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 4,06W Polar...

Diodes

ZXMN10A11KTC

od PLN 1,08*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 164 A LFPAK8 60 V SMD Pojedynczy 113 W 3,3 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 164 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...

onsemi

NVMJS2D5N06CLTWG

od PLN 4,054*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 830W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolar...

IXYS

IXFK200N10P

od PLN 42,31*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 17 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

IMBG65R163M1HXTMA1

od PLN 7,505*
za szt.

Infineon IPB024N08N5 tranzystor 80 V (2 ofert)

Infineon

IPB024N08N5ATMA1

od PLN 7,315*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3,3x3,3mm (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzacj...

Texas Instruments

CSD19538Q3AT

od PLN 2,24*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 167 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0028 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 167 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystanc...

Vishay

SQJ142EP-T1_GE3

od PLN 1,852*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3,4A; 1,3W; SOT223 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 3,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,122Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W Pola...

Diodes

DMN10H120SE-13

od PLN 0,72*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 165 A HSOF-8 80 V SMD 0.0029 Ω (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET Infineon n ma temperaturę roboczą 175°C i 100% testowaną lawinę.Jest zgodny z RoHS i zgodny z AEC Q101

Infineon

IAUT165N08S5N029ATMA2

od PLN 7,693*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 611 612 613 614 615 616 617 618 619 620 621 .. 1525 Dalej

MOSFET (22 869 ofert spośród 5 026 309 artykułów)

"MOSFET"