Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 953 ofert spośród 4 927 796 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W P...
IXYS
IXTT4N150HV
od PLN 109,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-252 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SQD15N06-42L_GE3
od PLN 1,288*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 20A; 1250W; TO264; 1,1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,1µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW ...
IXYS
IXTK20N150
od PLN 161,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 A HSOP8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6L120BGTB1
od PLN 5,769*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 2A; 568W; TO247-3; 80ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 80ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W ...
IXYS
IXTH2N170D2
od PLN 52,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247 700 V 0.155 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Infineon
IPW65R155CFD7XKSA1
od PLN 11,089*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 mA TO-92 250 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Seria = TN5325 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne ...
Microchip Technology
TN5325K1-G
od PLN 2,192*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; TO264; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...
IXYS
IXTK8N150L
od PLN 126,71*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TSSOP 30 V SMD Pojedynczy 1,4 W 50 miliomów (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu (RDS(ON)), a przy tym zachować najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązanie...
Diodes
DMN3020UTS-13
od PLN 0,523*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W P...
IXYS
IXTH4N150
od PLN 23,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 150 A LFPAK56E 80 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 150 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = LFPAK56E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMN3R5-80YSFX
od PLN 5,671*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A TO-247AC 850 V 0.305 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.3...
Vishay
SiHG17N80AEF-GE3
od PLN 7,826*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 153 A PowerPAK SO-8DC 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 153 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIDR5802EP-T1-RE3
od PLN 7,906*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1,16A; 70W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD2NK100Z
od PLN 1,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 15 A U-DFN2020-6 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020-6
Diodes
DMN3020UFDFQ-7
od PLN 2 233,08*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.