Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 926 735 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 133 A DFN 60 V SMD Pojedynczy 100 W 3 miliomy (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVMFS5C638NLT1G
od PLN 3,322*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 251W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NVHL020N090SC1
od PLN 220,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 137.5 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.004 Ω (1 Oferta) 
Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Tranzystor M...
Vishay
SIR5802DP-T1-RE3
od PLN 4,812*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 250V; 10A; 90W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polary...
ST Microelectronics
STP17NF25
od PLN 2,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 131 A D2Pak 55 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 131 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = D2Pak Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF1405STRLPBF
od PLN 5,748*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPD95R450P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPD95R450P7ATMA1
od PLN 4,372*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 7,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,24W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12G06A
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSZ017NE2LS5I tranzystor 25 V (1 Oferta)
Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1
od PLN 2,778*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FCPF11N60F
od PLN 4,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 139 A PG-TO252-3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD028N06NF2SATMA1
od PLN 3,199*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 131 A PG-TO252-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 131 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD029N04NF2SATMA1
od PLN 1,584*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 14 A IPAK (TO-251) 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = IPAK (TO-251) Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFU024PBF
od PLN 5,037*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 100V; 70A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryza...
ST Microelectronics
STP100N10F7
od PLN 6,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 134 A Taca 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 134 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Taca Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM120C12P2C201
od PLN 16 853,99004*
za 12 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 100V; 7,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12N10A
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.