Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 658 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA070B4
od PLN 67,89*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 137 A PG-WSON 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-WSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC028N06NSSCATMA1
od PLN 13,95*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA070B
od PLN 56,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 251W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NVHL020N090SC1
od PLN 221,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 131 A PG-TO252-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 131 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD029N04NF2SATMA1
od PLN 1,584*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 15A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG15N15B
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 131 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD 0.0037 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 131 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
BSC037N08NS5ATMA1
od PLN 6,417*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070S
od PLN 137,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 137 A PQFN 3 x 3 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 137 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
IQE030N06NM5CGATMA1
od PLN 7,231*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 131 A PG-TO252-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 131 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPD029N04NF2SATMA1
od PLN 1,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolarny; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FCPF11N60T
od PLN 8,22*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 134 A SuperSO8 5 x 6 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 134 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...
Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1
od PLN 4,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 50A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 133 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 100 W 4,2 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 133 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystanc...
onsemi
NVMYS3D3N06CLTWG
od PLN 4,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 23 A TO-247 900 V Pojedynczy 97 W 155 miliomów (2 ofert) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C3M0120090D
od PLN 31,47*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   591   592   593   594   595   596   597   598   599   600   601   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.