|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1952510 Nr producenta:
NTMYS2D4N04CTWG EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 138 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V
Typ opakowania = LFPAK, SOT-669
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 4
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2,3 milioma
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V
Minimalne napięcie progowe VGS = 2.5V
Maksymalna strata mocy = 83 W
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło = ±20 V
Maksymalna temperatura robocza = +175°Cmm
Minimalna temperatura robocza = -55°Cmm Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 138 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | LFPAK, SOT-669 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 2,3 milioma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Maksymalna strata mocy: | 83 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | ±20 V | Długość: | 5mm | Maksymalna temperatura robocza: | +175°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 1952510, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMYS2D4N04CTWG |
| | |
| |