Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,52A; Idm: 9,6A; 85W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP2N80
od PLN 3,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR32N80Q3
od PLN 100,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 88 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0043 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SQJ146ELP-T1_GE3
od PLN 1,501*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR24N80P
od PLN 34,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 88 A PQFN 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IRLH5030TRPBF
od PLN 3,236*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 85 A PQFN 3 x 3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
IQE065N10NM5CGATMA1
od PLN 7,261*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPU80R2K4P7 tranzystor 700 V (1 Oferta)
Infineon
IPU80R2K4P7AKMA1
od PLN 2,35*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 81,2 A PowerPAK 1212-8S 60 V SMD Pojedynczy 57 W 6,2 milioma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezyst...
Vishay
SISS26LDN-T1-GE3
od PLN 1,923*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 24A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT24N80P
od PLN 33,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 15A; Idm: 85A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F80B
od PLN 39,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 89 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD Pojedynczy 170 W 9,4 milioma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET o mocy od 60 V do 80 V, Infineon. Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowy...
Infineon
IRF2807ZSTRLPBF
od PLN 4,004*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 31A; Idm: 124A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024LFLLG
od PLN 111,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 85 A Super-247 700 V 0.029 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHS90N65E-GE3
od PLN 62,441*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 81.2 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.00399 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 81.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SIJA74DP-T1-GE3
od PLN 4 000,23*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX27N80Q
od PLN 74,16*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1001   1002   1003   1004   1005   1006   1007   1008   1009   1010   1011   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.