| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2406642 Nr producenta: IQE065N10NM5CGATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 85 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PQFN 3 x 3 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2406642, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IQE065N10NM5CGATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |