| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282885 Nr producenta: SiHS90N65E-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.029 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 85 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700 V | Typ opakowania: | Super-247 | Seria: | E Series | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.029 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282885, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiHS90N65EGE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |