Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 89 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 104 W 5,5 milioma (1 Oferta) 
Kompaktowa konstrukcja z małą powierzchnią podstawy (5 x 6 mm) Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia Niska wartość QG i pojemność minimalizują straty sterownika NVMFSW6D1N0...
onsemi
NVMFS6D1N08HT1G
od PLN 3 373,80*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 32A; 830W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK32N80P
od PLN 42,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 86 A DPAK (TO-252) 40 V SMD 0.0052 Ω (1 Oferta) 
Infineon seria OptiMOS™-T2 N-kanałowy MOSFET samochodowy zintegrowany z pakietem typu DPAK (TO-252). Ma niskie straty mocy przełączania i przewodzenia.Tryb rozszerzenia kanału N MSL1 do 260°C Relow...
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
od PLN 2,957*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 82 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD 0.013 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 82 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRF2807STRLPBF
od PLN 4,845*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 89 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 89 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
onsemi
NTHL022N120M3S
od PLN 189,698*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 360 MO (1 Oferta) 
MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej kla...
Infineon
IPD60R360P7SAUMA1
od PLN 2,276*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34N80LC3G
od PLN 43,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 86 A PowerDI5060-8 100 V SMD 0.0089 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMTH10H009SPQ to N-kanałowy system MOSFET, który został zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych.Niska pojemność wejściowa Wysoka...
Diodes
DMTH10H009SPSQ-13
od PLN 3,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 82 A PG-WSON 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 82 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-WSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC070N10NS5SCATMA1
od PLN 15,094*
za 2 szt.
 
 paczka
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3,2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQPF6N80CT
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 0.36 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPB60R360P7ATMA1
od PLN 4,161*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Po...
IXYS
IXTP1N80P
od PLN 5,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 9 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.585 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
R6509KND3TL1
od PLN 2,803*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 87 A D2PAK (TO-263) 30 V SMD 0.0078 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 87 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRF3709ZSTRRPBF
od PLN 4,084*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW80R280P7 tranzystor 800 V (2 ofert)
Infineon
IPW80R280P7XKSA1
od PLN 6,92*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1001   1002   1003   1004   1005   1006   1007   1008   1009   1010   1011   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.