|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2172524 Nr producenta:
IPD60R360P7SAUMA1 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej klasie platforma 7. Generacji CoolMOS™ z serii R onxA i niskim poziomem ładowania (Q G) zapewnia wysoką wydajność.600 V P7 umożliwia doskonałe FOM R DS(on)XE oss i R DS(on)XQ G. Wytrzymałość ESD ≥ 2 kV (HBM klasa 2) Wbudowany rezystor bramki R G Dioda z wytrzymałym korpusem Szeroka oferta w pakietach do montażu powierzchniowego i otworów przelotowych Dostępne są zarówno części klasy standardowej, jak i przemysłowej Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 360 MO | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 2172524, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD60R360P7SAUMA1 |
| | |
| |