Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 958 ofert spośród 4 927 304 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M80B
od PLN 29,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 82 A TO-263 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 82 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
Infineon
IPB65R115CFD7AATMA1
od PLN 9,956*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 89 A DPAK 55 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 89 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLR3705ZTRPBF
od PLN 3,555*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 88 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na ...
Infineon
IPB110N20N3LFATMA1
od PLN 27,459*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8052BLLG
od PLN 59,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 850 mA SOT-363 20 V SMD 1,5 W 530 miliomów (1 Oferta) 
Motoryzacja Dual N-kanałowy 20 V (D-S) 175 °C TRANZYSTOR MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQ1922AEEH-T1_GE3
od PLN 1 479,96*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 32A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX32N80P
od PLN 42,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 83 A TO-220 FP 100 V 0.003 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 83 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPA Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.003 Ω ...
Infineon
IPA030N10NF2SXKSA1
od PLN 12,791*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 89 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 89 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
onsemi
NTHL022N120M3S
od PLN 3 241,32*
za 30 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 88 A PQFN 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IRLH5030TRPBF
od PLN 3,226*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 38A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8020LLLG
od PLN 166,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 84 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD 0.012 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 84 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IRF1010ESTRLPBF
od PLN 3,737*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 31A; Idm: 124A; 565W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8024LFLLG
od PLN 110,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 34A; 568W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX34N80
od PLN 76,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 89 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD Pojedynczy 170 W 9,4 milioma (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET o mocy od 60 V do 80 V, Infineon. Dyskretne tranzystory zasilające MOSFET HEXFET® firmy Infineon zawierają urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowy...
Infineon
IRF2807ZSTRLPBF
od PLN 4,004*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1001   1002   1003   1004   1005   1006   1007   1008   1009   1010   1011   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.