| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2425823 Nr producenta: IPB110N20N3LFATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 88 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2425823, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB110N20N3LFATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |